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全自動(dòng)帶顯微鏡多點(diǎn)測(cè)量膜厚儀

簡(jiǎn)要描述:硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。

  • 產(chǎn)品型號(hào):FR-Mic
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:查看pdf文檔
  • 更新時(shí)間:2024-03-19
  • 訪  問  量: 10005

詳細(xì)介紹

硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個(gè)微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺(tái)計(jì)算機(jī)控 制的XY工作臺(tái),使其快 速、方便和準(zhǔn)確地描繪樣品的厚度和光學(xué)特性圖。品牌屬于Thetametrisis。

Thetametrisis利用 FR-Mic,通過紫外/ 可見/ 近紅外可輕易對(duì)局部區(qū)域薄膜厚度,厚度映射,光學(xué)常數(shù),反射率,折射率及消光系數(shù)進(jìn)行測(cè)量。

【相關(guān)應(yīng)用】

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2.半導(dǎo)體制造

3.(氧化物/氮化物, 硅膜, 光刻膠及其他半導(dǎo)體薄膜.)

4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)

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10.生物醫(yī)學(xué)(聚對(duì)二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)

11.還有許多…

Thetametrisis膜厚儀特點(diǎn)】

1、實(shí)時(shí)光譜測(cè)量

2、薄膜厚度,光學(xué)特性,非均勻性測(cè)量, 厚度映射

3、使用集成的,USB連接高品質(zhì)彩色攝像機(jī)進(jìn)行成像



Thetametrisis膜厚儀產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)】

1、單擊即可分析 (無(wú)需初始預(yù)測(cè))

2、動(dòng)態(tài)測(cè)量

3、包含光學(xué)參數(shù) (n & k, color)

4、可保存測(cè)量演示視頻錄像

5、超過 600 種不同材料o 多個(gè)離線分析配套裝置o 免費(fèi)操作軟件升級(jí)

【技術(shù)參數(shù)】

型號(hào)

UV/VIS

UV/NIR-EXT

UV/NIR-HR

DUV/NIR

VIS/NIR

DVIS/NIR

NIR

光譜波長(zhǎng)范圍(nm)

200–850

200–1020

200-1100

200–1700

370–1020

370–1700

900–1700

光譜儀像素

3648

3648

3648

3648&512

3648

3648&512

512

膜厚測(cè)量范圍

5X-VIS/NIR

15nm–60μm

15nm–70μm

15nm–90μm

15nm–150μm

15nm–90μm

15nm–150μm

100nm–150μm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm–50μm

4nm–60μm

4nm–80μm

4nm–130μm

15nm–80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X-UV/NIR*

4nm–40μm

4nm–50μm

4nm–50μm

4nm–120μm

20X-VIS/NIR

20X-UV/NIR*

4nm–25μm

4nm–30μm

4nm–30μm

4nm–50μm

15nm–30μm

15nm–50μm

100nm–50μm

40X-UV/NIR*

4nm–4μm

4nm–4μm

4nm–5μm

4nm–6μm

50X-VIS/NIR

15nm–5μm

15nm–5μm

100nm–5μm

測(cè)量n&k蕞小厚度

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

光源

氘燈&鹵素?zé)?internal)

鹵素?zé)?internal)

材料數(shù)據(jù)庫(kù)

>600不同材料

*測(cè)量面積(收集反射或透射信號(hào)的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關(guān)。

物鏡

光斑尺寸(μm)

500μm孔徑

250μm孔徑

100μm孔徑

5x

100μm

50μm

20μm

10x

50μm

25μm

10μm

20x

25μm

17μm

5μm

50x

10μm

5μm

2μm

【工作原理】



*規(guī)格如有更改,恕不另行通知, 測(cè)量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xù) 15 天測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差平均值。樣品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差,樣品:1um SiO2 on Si.

*超過 15 天的標(biāo)準(zhǔn)偏差日平均值樣品:1um SiO2 on Si。

以上資料來自Thetametrisis,如果有需要更加詳細(xì)的信息,請(qǐng)聯(lián)系我們獲取。



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